FDD86110

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

FDD86110 datasheet

• Маркировка
  FDD86110
• Производитель
  Fairchild Semiconductor
• Описание
  Fairchild Semiconductor FDD86110 RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 12.5 A Resistance Drain-Source RDS (on): 10.2 mOhms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-252 Fall Time: 3.9 ns Forward Transconductance gFS (Max / Min): 38 S Gate Charge Qg: 25 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 3.1 W Rise Time: 5.4 ns Factory Pack Quantity: 2500 Typical Turn-Off Delay Time: 19 ns
• Количество страниц
  6 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet FDD86110.pdf
Файл формата Pdf 207,10 KB